无锡新洁能股份有限公司

公司简介

展开公司成立于2013年1月，2020年9月28日，在上交所主板完成挂牌。成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖，且获得2020年度技术发明奖。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。公司产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域，并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。收起